簡要描述(shu)：M系列(lie)(lie)光(guang)(guang)束筆(bi)(bi)(bi)(bi)尖陣(zhen)列(lie)(lie)光(guang)(guang)刻(ke)系統(tong)(tong)：聚(ju)合物(wu)筆(bi)(bi)(bi)(bi)無掩(yan)(yan)模光(guang)(guang)刻(ke)納米制(zhi)造(zao)系統(tong)(tong)（polymer pen lithography）聚(ju)合物(wu)筆(bi)(bi)(bi)(bi)納米無掩(yan)(yan)模光(guang)(guang)刻(ke)制(zhi)造(zao)系統(tong)(tong)PPL, 使用可達160000筆(bi)(bi)(bi)(bi)尖的(de)陣(zhen)列(lie)(lie)，采用蘸筆(bi)(bi)(bi)(bi)光(guang)(guang)刻(ke)DPN的(de)方式(shi)，將待沉積的(de)材料（墨水）浸蘸在(zai)(zai)筆(bi)(bi)(bi)(bi)尖陣(zhen)列(lie)(lie)上，筆(bi)(bi)(bi)(bi)尖可控的(de)與基底表(biao)面接(jie)觸，從(cong)而(er)在(zai)(zai)基底表(biao)面批量成型所(suo)需(xu)圖(tu)案，加工(gong)納米微米圖(tu)案無需(xu)光(guang)(guang)掩(yan)(yan)膜，且在(zai)(zai)平方厘(li)米范圍(wei)內達到200納米以下(xia)的(de)分辨率。